Nếu từng sử dụng một ổ cứng thể rắn SSD, hẳn bạn biết rõ loại thiết bị lưu trữ này có tốc độ nhanh hơn rất nhiều so với đĩa cứng truyền thống và hơn hết là khả năng vận hành cực kỳ êm ái.

Tuy nhiên, nhược điểm lớn nhất của ổ SSD chính là giá thành sản xuất rất đắt dù dung lượng của loại lưu trữ dựa trên nền tảng bộ nhớ flash này hiện chưa cao như đĩa cứng truyền thống.

Về lý thuyết, chip nhớ NAND sử dụng trong ổ SSD hay thiết bị lưu trữ SSD được phát triển trên một kiến trúc phẳng vốn không cho phép triển khai một mật độ rất cao của các chip nhớ, do đó điều này dẫn đến giá thành tăng cao nếu như các nhà sản xuất muốn tăng mức dung lượng lưu trữ. Bên cạnh đó, kích thước vật lý của ổ SSD cũng sẽ phình lên dù rất nhỏ.

Để giải quyết khó khăn này, Samsung áp dụng công nghệ mà hãng này gọi là V-NAND, tức họ xấp chồng các cell nhớ theo chiều dọc, thay vì phải cơi nới kích thước của các linh kiện thành phần, qua đó giúp tăng dung lượng tổng thể cũng như tốc độ truy xuất.

Ổ SSD trong tương lai sẽ có dung lượng cao hơn và giá thành rẻ hơn nhờ công nghệ sản xuất 3D NAND.

Trong khi đó, Intel, Toshiba và Micron cũng vừa công bố một phiên bản riêng của công nghệ này với tên gọi đơn giản là 3D NAND.

Theo Neowin, công nghệ 3D NAND cho phép nhà sản xuất tích hợp đến 32 lớp các cell bộ nhớ flash lên một bản mạch, và điều đó có nghĩa là một chip NAND có thể đạt mức dung lượng 48GB với các quy trình sản xuất bán dẫn hiện tại.

Được biết, Toshiba đang áp dụng quy trình 15nm để sản xuất chip nhớ NAND dùng cho thiết bị lưu trữ SSD.

 

SlashGear dẫn lời đại diện Intel cho biết, thế hệ thiết bị lưu trữ SSD sử dụng công nghệ 3D NAND sẽ được bắt đầu sản xuất đại trà từ cuối năm 2015, và hãng này có thể tạo ra một thiết bị lưu trữ dung lượng lên đến 750GB với kích thước nhỏ nhắn cỡ một ngón tay.

Về phần mình, hãng Micron cho biết trong tương lai chúng ta sẽ thấy những thiết bị lưu trữ SSD có kích thước cỡ thanh kẹo cao su - như ổ SSD chuẩn M.2 - có dung lượng đến 3,5TB và ổ 2,5 inch có thể lưu trữ đến 10TB dữ liệu.

Theo Trí Thức Trẻ